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SK海力士宣布開發第三代1Znm內存芯片

作者:時間:2019-10-23來源:SEMI大半導體產業網收藏

近日,今天宣布開發適用第三代1Z納米DDR4 DRAM,據稱,這款芯片實現了單一芯片標準內業界最大容量的16Gb,在一張晶圓中能生產的存儲量也是現存的DRAM內最大。

本文引用地址:http://www.zgzcxq.live/article/201910/406147.htm

與上一代1Y產品相比,該產品的生產率提高了約27%,由于可以在不適用超高價的EUV(極紫外光刻)曝光工藝的情況下進行生產,其在成本上具有競爭優勢。

新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數據傳輸速率,據稱是DDR4規格內最高速度。在功耗方面,與基于第二代8Gb產品的相同容量模組相比,功耗降低約40%。

第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料,將DRAM操作的關鍵要素靜電容量(Capacitance)最大化。此外,還引進了新的設計技術,提高了動作穩定性。

接下來,計劃將第三代10納米級微細工程技術擴展到多種應用領域,包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1Z開發事業TF長李廷燻表示,該芯片計劃年內完成批量生產,從明年開始正式供應。



關鍵詞: SK海力士 內存 1Znm

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